Расчет усилителя радиочастоты

Iэ, Iк - токи в цепи эмиттера и коллектора; коэффициент, зависящий от технологии изготовления транзистора. Для сплавных транзисторов =1, для сплавно-диффузионных = 2, для меза транзисторов = 3. При нормальной температуре

rб¢э= 25.6 × (1 + h21э) / Iэ(мА)

Современнее транзисторы имеют h21э, обычно лежащее в пределах от 20 до 200; для маломощных транзисторов rб имеет значение от 30 до 100 Ом, причем меньшие сопротивления из этого интервала соответствуют высокочастотным транзисторам, а большие - низкочастотным.

Довольно часто в справочных данных на микросхему не приводится тип применяемых в ней транзисторов, но даются два различных значения крутизны. Одно из них соответствует средним частотам (S0), а второе Y21f определяется на достаточно высокой частоте f. В этом случае можно найти

.

Если в справочнике задана верхняя граничная частота полосы пропускания - fв, т.е. наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на средних частотах, то

= 1 / (2 × × fв).

Для многокаскадных микросхем нельзя указать простых методов расчета частотной зависимости их параметров, так как неизвестно соотношение постоянных времен отдельных каскадов усилителя, а следовательно, нельзя определить вклад каждого каскада в формирование спада частотной характеристики усилителя на высоких частотах. Однако в раде случаев по виду схемы можно с большой степенью достоверности оценить влияние того или иного каскада на общую амплитудно-частотную характеристику микросхемы. Так, например, известно, что амплитудно-частотные искажения каскада с общей базой значительно меньше амплитудно-частотных искажений каскада с общим эмиттером. Поэтому, если усилитель имеет в своем составе каскад с общей базой, то его влиянием на амплитудно-частотную характеристику усилителя можно пренебречь. К аналогичным ситуациям может приводить использование в каскадах местных отрицательных обратных связей.

Зависимость параметров микросхемы от частоты удобно характеризовать отношением рабочей частоты f к граничной частоте по крутизне

= f / fв= 2 × × f

Анализ изменения параметров позволяет выделать три наиболее характерные области. При £ 0.3 крутизна ½Y21½f, входная емкость транзистора Свх, выходная емкость Свых от частоты практически не зависят. В схеме с общим эмиттером зависимость входного сопротивления Rвх и выходного сопротивления Rвых транзистора от частоты в этом случае выражена очень слабо

Rвхf= Rвх× rб¢ / (rб¢ + 2× Rвх);

Rвыхf= Rвых× / ( + Rвых× 2× S0× rб¢× Cк)

При £ 3 параметры транзисторов имеют наилучшие значения с точки зрения получения высоких технических показателей каскада.

Поэтому использование их при £ 3 является предпочтительным.

Если 0.3 < < 3,2, то все параметры транзистора в большой степени зависят от рабочей частоты.

Пересчет параметров биполярных транзисторов в схеме с общим эмиттером, может быть осуществлен по формулам:

½Y21½f = S0/ (1 + 2)0.5; Rвхf= Rвх× rб¢ × (1 + 2) / (rб¢ + 2× Rвх);

g11f= 1 / Rвхf; Rвх= rб¢ + rб¢э; Rвых= (10 . 50) кОм;

Rвыхf= Rвых× / [ + Rвых× S0× rб¢× Cк× 2/ (1 + 2)], g22f= 1 / Rвыхf;

Cвхf= × [1 - rб¢ / (rб¢ + rб¢э)] / [rб¢ × (1 + 2)]; Cвыхf= Cк× [1 + S0× rб¢ / (1 + 2)].

При ³ 3.2 все параметры транзисторов слабо зависят от частоты, но имеют наихудшие значения, при которых их практическое использование оказывается нежелательным.

Необходимо рассчитать однокаскадный одноконтурный усилитель радиочастоты (УРЧ).

Микросхема К228УВ2

Принципиальная схема микросхемы К228УВ2

приведена на рисунке. Она представляет собой дифференциальный усилительный каскад со стабилизацией режима.

Паспортные данные микросхемы:

Напряжения питания микросхемы

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Советуем почитать:

Измеритель напряжённости и градиента магнитного поля
Написание дипломного проекта и последующая его защита является заключительной стадией обучения в средних специальных учебных заведениях. Дипломный проект является обобщающей проверкой вс ...

Источники питания электронных устройств
Применение различного рода электронных устройств для управления производственными процессами подразумевает использование электрической энергии определенного вида для их питания (постоян ...

Устройство и работа отдельных узлов рентгеновского компьютерного томографа
Обобщенная структурная схема рентгеновского компьютерного томографа приведена на рис.1. Несмотря на существенные различия в принципах сканирования, конструкциях механических и электронных уз ...

Меню



© 2015 TechExternal