Расчет схемы сравнения и УПТ

Определяем величину опорного напряжения:

По [8] в качестве источника опорного напряжения стабилитрона VD7 выбираем стабилитрон типа КС218Ж с параметрами:

Задаемся максимальным током коллектора усилителя транзистора Т5 и Т6:

Определить максимальное напряжение на переходе коллектор-эмиттер VТ5 и VТ6:

Определим максимальную мощность рассеиваемую на VТ5 и VТ6:

По величинам UKЭMAX , IK5MAX, PK5 по [9] выбираем транзистор. Так как параметры транзисторов VТ5 и VТ6 равны, то и транзисторы выбираем одинаковые. Транзисторы типа КТ361А с параметрами:

Рассчитываем резистор R7:

Принимаем R7=2700Ом по [7]:

Мощность рассеиваемая на резисторе R7:

Выбираем резистор типа С2-23-0,125-2,7к.

Рассчитываем эмиттерный повторитель:

Выбираем стабилитрон VD6 с напряжением стабилизации 8В.

По [8] выбираем транзистор типа КС168А с параметрами:

Определим сопротивление R2:

По [7] выбираем R2=1,8кОм.

Мощность рассеиваемая на резисторе R2:

Выбираем резистор типа С2-23-0,5-1,8к.

Определим сопротивление R3 :

По [7] выбираем R3=2кОм.

Мощность рассеиваемая на резисторе R3 :

Выбираем резистор типа С2-23-0,125-2к.

Транзистор VТ1 выбираем исходя из следующих величин:

По [9] выбираем транзистор типа КТ302А:

Определим сопротивление R6:

По [7] выбираем R6=510Ом.

Мощность рассеиваемая на резисторе R6:

Выбираем резистор типа С2-23-0,125-510.

Определяем параметры делителя:

Задаемся током делителя

Определим max и min коэффициент передачи делителя:

Рассчитаем сопротивление резистора R10:

Выбираем R10=3кОм по [7]

Выбираем транзистор типа C2-23-0,125-3к

Сопротивление резистора R8:

Принимаем резистор R8=110Ом по [7].

Выбираем транзистор типа C2-23-0,125-110

Сопротивление транзистора резистора R9:

Принимаем резистор R9=820Ом по [7].

Выбираем транзистор типа CП5-24-0,125-820

КПД стабилизатора

Выбираем конденсатор С2 исходя из следующих величин:

По [7] выбираем конденсатор типа К10-23-1100н-25В с параметрами:

Советуем почитать:

Разработка конструкции и технологии изготовления модуля управления временными параметрами
Современная микроэлектроника привела к революционным преобразованиям практически во всех отраслях техники, не говоря уже о радиоэлектронной и электронно-вычислительной аппаратуре. Повыше ...

Разработка комплексной системы защиты информации отдела внутренних дел по Вьюжному району Ленинградской области
Целью данной работы является разработка эффективной системы защиты информации, а для ее успешной реализации необходимо провести ряд важных мероприятий: анализ производственной деяте ...

Исследование зигзагообразной приемной антенны
Неотъемлемыми составными частями современных радиотехнических средств являются антенные системы и обслуживающие их тракты СВЧ. Назначение передающей антенны состоит в преобразовании ...

Меню



© 2015 TechExternal