Элемент сравнения и усилитель постоянного тока

Сравнение выходного напряжения с опорным в стабилизаторах напряжения обычно происходит на входе транзистора усилителя сигнала ошибки цепи ООС. Поэтому работа обоих элементов будет рассматриваться одновременно. В качестве усилителя сигнала ошибки используется дифференциальные усилители постоянного тока с эмиттерной связью. Дифференциальный усилитель, представленный на рисунке 3.3 выполнен на транзисторах VT5 и VT6 , причем VT5 работает как обычный усилитель сигнала ошибки. На его вход подается напряжение, снимаемое с резистора R7. В схемах дифференциальных усилителей постоянного тока усиленный сигнал ошибки можно снимать с коллекторов транзисторов VT5 и VT6 в зависимости от требуемой фазы.

Токостабилизирующий двухполюсник

Токостабилизирующий двухполюсник изображен на рисунке 3.4.

Рисунок 3.4 – Токостабилизирующий двухполюсник

Токостабилизирующий двухполюсник состоит из транзистора VT1, резисторов R2 и R2 и стабилитрона VD6.

Такой ТСД представляет собой простейший транзисторный стабилизатор тока, обладающий внутренним сопротивлением. Транзистор VT1 управляется разностью напряжений стабилитрона VD6 и падением на резисторе R3. Напряжение на стабилитроне VD6 изменяется незначительно и так как оно приблизительно равно напряжению на резисторе R3 , то токи эмиттера и коллектора транзистора T1 почти не изменяются при изменении входного напряжения.

Имея принципиальные схемы функциональных узлов можно составить принципиальную схему стабилизатора напряжения. Принципиальная схема стабилизатора напряжения представлена на рисунке 3.5.

Рисунок 3.5 — Принципиальная схема стабилизатора напряжения

Принцип действия стабилизатора напряжения заключается в том, что в случае изменения тока нагрузки в сторону увеличения, например, выходное напряжение уменьшается за счет увеличения падения напряжения на «переходе» коллектор-эмиттер регулирующего транзистора VTp, который состоит из транзисторов VT2, VT3 и VT4, соединенных последовательно. Это вызовет уменьшение напряжения UНД на нижнем плече делителя напряжения. Вследствие этого потенциал базы транзистора VT5 станет менее положительным, что вызовет уменьшение его базового и коллекторных токов. Ток базы транзистора VTp станет больше, что приведет к уменьшению падения напряжения на «переходе» коллектор-эмиттер транзистора VT4. Выходная величина увеличится до первоначального значения.

При изменении входного напряжения U0 (например, увеличение) в начальный момент времени начнет увеличиваться выходное напряжение UН, что приведет к увеличению напряжения UНД нижнем плече делителя. Напряжение UНД сравнивается с опорным напряжением UОП стабилитрона VD7. Увеличение напряжения UНД приводит к увеличению положительного потенциала базы транзистора VT5 и уменьшению тока базы транзистора VTp, состоящего из транзисторов VT2, VT3 и VT4, соединенных последовательно относительно эмиттера. Ток базы транзистора VTp уменьшается, что приводит к увеличению напряжения на «переходе» коллектор-эмиттер. Напряжение на выходе уменьшается до первоначального с определенной точностью. Регулирование выходного напряжения в схеме осуществляется потенциометром R9. При перемещении движка потенциометра в направлении плюсовой шины стабилизатора увеличивается напряжение UНД, что приводит к увеличению токов базы и коллектора VTp будет уменьшаться, увеличивая напряжение на «переходе» коллектор-эмиттер данного транзистора и напряжение на выходе стабилизатора будет уменьшаться. При перемещении движка потенциометра в сторону минусовой шины напряжение на выходе стабилизатора будет увеличиваться.

Советуем почитать:

Разработка технологического процесса сборки усилителя мощности звуковой частоты
Производственный процесс представляет совокупность всех действий людей и орудий производства, необходимых на данном предприятии для изготовления или ремонта РЭА. Технологический проц ...

Идентификация технологических объектов управления
Объективные закономерности, присущие процессам переработки информации, обусловливают аналогию функциональных структур человека-оператора и управляющего устройства любого типа. Эта аналог ...

Строительство телефонной канализации на ГТС малой емкости
строительство В условиях современных благоустроенных городов развитие телефонных сетей производится главным образом путем внедрения подземных линейных сооружений и новых ...

Меню



© 2015 TechExternal