Сглаживающие фильтры

Уменьшение величины пульсации выпрямленного напряжения осуществляется при помощи сглаживающих фильтров, состоящих из одного или нескольких Г-образных звеньев LC или RC. Выбор того или иного звена или их сочетания определяется величиной пропускаемого через фильтр выпрямленного тока и коэффициента фильтрации (характера нагрузки).

Основными параметрами сглаживающих фильтров являются коэффициент сглаживания kс и падение напряжения постоянного тока DU. Коэффициент сглаживания многозвенного фильтра равен произведению коэффициентов сглаживания каждого звена.

Коэффициент пульсации на входе фильтра зависит от схемы выпрямителя и характера нагрузки, а также от величины емкости конденсатора С0.

Сглаживающие фильтры, состоящие из одного или нескольких Г-образных RC-звеньев, применяют при выпрямлении тока не более 20 мА. Расчет падении напряжения, В, сопротивления, Ом, и емкости, мкФ, однозвенного RС-фильтра может быть осуществлен по следующим соотношениям:

Для двухзвенного фильтра

где Н = 3000 при однополупериодном выпрямлении и Н == 1500 при двух-полупериодном.

Сглаживающие фильтры, состоящие из одного или нескольких Г-образных LC-звеньев, применяют при выпрямлении тока более 20 мА. Для однозвенных LС-фильтров ; для двухзвенных , где Н1= 10 при однополупериодном выпрямлении и Р1 = 2,5 при двухполупериодном. Обычно конденсатор С электролитический, с емкостью С=С0. Если при расчете произведение LC > 200, то применяют двухзвенные фильтры.

Сглаживающие фильтры на транзисторах характеризуются высокими коэффициентом полезного действия и коэффициентами сглаживания пульсации. Работа фильтра основана на том, что сопротивление перехода коллектор — эмиттер транзистора для переменного тока во много раз больше, чем для постоянной составляющей. Транзистор выбирают по току нагрузки, который должен быть в два раза меньше максимально допустимого тока коллектора. Транзисторные сглаживающие фильтры могут использоваться в качестве развязывающих. При наладке фильтра сопротивление резистора R подбирается таким, чтобы напряжение между коллектором и эмиттером транзистора было равным 16—20 В.

Советуем почитать:

Разработка комплексной системы защиты информации отдела внутренних дел по Вьюжному району Ленинградской области
Целью данной работы является разработка эффективной системы защиты информации, а для ее успешной реализации необходимо провести ряд важных мероприятий: анализ производственной деяте ...

Разработка микропроцессорной системы Автомобильные часы-термометр-вольтметр на базе микроконтроллера
Современную микроэлектронику трудно представить без такой важной составляющей, как микроконтроллеры. Микроконтроллеры незаметно завоевали весь мир. Микроконтроллерные технологии очень эф ...

Проектирование системы передачи цифровых данных
В настоящее время очень развиты различные системы передачи данных, разработаны основные стандарты, на основе которых строятся реальные системы. В настоящей работе была осуществлена попыт ...

Меню



© 2015 TechExternal