Электрический расчет генератора высокого напряжения

(5.7)

В практически используемом умножителе должна также быть гармоника из-за емкостей связи между тактами через диод.

При перекрывающихся тактах, тем не менее, тоже должен быть всплеск от другой фазы такта, когда изолирующий диод находится в проводящем состоянии. Величина всплеска от обеих фаз дается выражением

при (5.8)

где -емкость каждого диода, так что для не перекрывающихся тактовых сигналов (фаз)

(5.9)

и для перекрывающихся фаз

(5.10)

Из (5.6) следует, что умножение напряжения имеет место, если

(5.11)

Важно отметить, что это выражение не зависит от N, так что здесь в принципе нет ограничений на число каскадов в множителе такого типа. Более того, если последнее выражение удовлетворяется, способность управления током также не зависит от числа каскадов умножителя. Из (5.6) следует:

(5.12)

где и -соответственно эквивалентные напряжения и сопротивления умножителя напряжения,

(5.13)

(5.14)

Формула (5.12) приводит к простой эквивалентной схеме выхода умножителя, показанной на рисунке 5.4.

При развитии данной модели для умножителя напряжения далее необходимо предложить, что конденсаторы полностью разряжаются и заряжаются до напряжения отсечки . На практике это не является препятствием благодаря нелинейности ВАХ и внутреннего последовательного сопротивления диодов . Это приводит к остаточному напряжению в дополнение к , остающемуся на другом конце цепочки диодов.

В конце каждого цикла, вызывающему нелинейный рост последовательного сопротивления умножителя при увеличении тока нагрузки. Однако делая достаточно малым, чтобы

, (5.15)

увеличение из-за этого эффекта будет меньше 5%.

На рисунке (5.5) показана схема умножителя, используемая в ЭСППЗУ на МНОП триггере-защелке. Хотя здесь используется технология р-канальных МОП транзисторов с алюминиевым затвором, в которой нельзя получить изолированный диод, цепочка умножителя может быть сделана, используя, как показано, МОП транзисторов в диодном включении. В этом случае прямое напряжение диода заменяется пороговым напряжением транзистора в (5.6). Получаем:

Перейти на страницу: 1 2 3 4

Советуем почитать:

Разработка конструкции и технологического процесса изготовления печатной платы
Основной особенностью производства ЭВМ является использование большого количества стандартных и нормализованных элементов, интегральных схем, радиодеталей и др. Важным вопросом, решаемы ...

Разработка и исследование унифицированных модулей широкополосных трансформаторов типа длинной линии
Широкополосные трансформаторы сопротивлений и устройства, выполненные на их основе (сумматоры-делители мощности, направленные ответвители и т.п.), определяют основные показатели разнообр ...

Измеритель напряжённости и градиента магнитного поля
Написание дипломного проекта и последующая его защита является заключительной стадией обучения в средних специальных учебных заведениях. Дипломный проект является обобщающей проверкой вс ...

Меню



© 2015 TechExternal