Обоснование эксплуатационно-технических требований к запоминающему устройству телевизионного приемника

Согласно техническому заданию на дипломное проектирование необходимо разрабатывать ЭСППЗУ со следующими электрическими параметрами:

1. Емкость накопителя – 16К (2Кх8) бит, где К=1024 бит.

2. Напряжение питания UCC=2,7 – 5,5 В.

3. Длительность цикла стирание/ запись не более 10 мс.

4. Число циклов стирание/запись 1000000.

5. Тактовая частота 300 кГц.

6. Входное напряжение низкого уровня на входе SCL, UIL=-0,8 0,3 В.

7. Входное напряжение высокого уровня на входе SCL, UIH=0,7UCC 6,5 В.

8. Входное напряжение низкого уровня на входе/выходе SDA, UIL=-0,8 0,3 В.

9. Входное напряжение высокого на входе/выходе SDA, UIH=0,7UCC 6,5 В.

Обоснуем выбор данных электрических параметров.

Согласно ГОСТу 24459-80 [13], который распространяется, на интегральные МС ЗУ и элементов ЗУ: ОЗУ, АЗУ, ЗУ на ПЗС и цилиндрических магнитных доменах; постоянные ЗУ, программируемые маской, ПЗУ с однократным электрическим программированием; ПЗУ с многократным электрическим программированием, и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров ЗУ – число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, потребляемую мощность.

В пункте 3 данного ГОСТа говориться, что допускаемые сочетания значений числа информационных слов и числа разрядов в информационном таблицы слове для ПЗУ, ПЗУ с однократным электрическим программированием и ПЗУ с многократным электрическим программированием должны соответствовать таблице 2 ГОСТа 24459-80. Мы не будем приводить всей таблицы, а лишь воспользуемся некоторыми цифрами: 8 – число разрядов в информационном слове и 16К – число информационных слов, где К=1024 бит. Эти данные свидетельствуют, что емкость накопителя может быть реализована с помощью 8 разрядов в информационном слове в объеме 16К, где К=1024 бит.

Согласно пункту 6 ГОСТа 24459-80 допускаемые сочетания значений времени выборки ПЗУ с многократным электрическим программированием на основе МНОП структур выбирается из диапазона из 40 до 4000 нс. Длительность цикла стирание/запись зависит от времени выборки и может быть менее 10 нс. Это значение является верхним пределом и выбор меньшего значения будет уже зависит не только от времени выборки, но и от других причин.

Согласно ГОСТу 17230-71 [14] распространяющегося на интегральные микросхемы, номинальное напряжение питания для последних может быть выбрано из ряда значений. Приведем несколько номиналов из этого ряда: 2,7; 3,0; 3,5; 4,5; 4,8; 5,2; 5,5 В. Одно из значений этого ряда будет выбрано в соответствии с необходимым напряжением питания.

Следующий параметр – число циклов стирание/запись. Этот параметр зависит от двух факторов. В первую очередь он зависит от изменения пороговых напряжений в ячейке памяти, вследствие чего происходит утечка заряда из области формирования заряда. В результате этого область формирования заряда разрушается, и информация исчезает. Второй фактор – это разброс температур, то есть вышеперечисленные операции происходят быстрее.

Известно, что разрабатываемое ЭСППЗУ работает с I2C интерфейсом, то есть существуют двунаправленная шина данных SDA и, так называемая, тактовая шина SCL. Для I2C интерфейса напряжения низкого и высокого уровня стандартизированы международным стандартом ISO.

Тактовая частота определяет быстродействие ЭСППЗУ. Значение тактовой частоты ограничено технологией изготовления внутреннего генератора.

Советуем почитать:

Структура и использование микроконтроллеров
Область применения микроконтроллеров - это различные контроллеры устройств автоматики, пластиковые карты, контроллеры периферийных устройств. Развитие микроэлектроники и её широкое пр ...

Разработка технологического процесса сборки усилителя мощности звуковой частоты
Производственный процесс представляет совокупность всех действий людей и орудий производства, необходимых на данном предприятии для изготовления или ремонта РЭА. Технологический проц ...

Устройства регулировки и перемножения сигналов
В усилителях необходимо регулировать усиление и форму АЧХ. Основные требования к регуляторам: 1) Минимум помех, вносимых регулятором (фон переменного тока, шумы трески и т.д.). ...

Меню



© 2015 TechExternal