Выбор IGBT транзистора и драйвера IGBT

Для обеспечения ШИМ выбираем IGBT транзистор SKM75GB063D фирмы Semicon. Данный IGBT имеет следующие отличительные особенности:

N-канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT, непробиваемый биполярный транзистор с изолированным затвором)

Малый хвостовой ток с малой температурной зависимостью

Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение при закорачивании затвора с эмиттером

Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)

Очень малые емкости Cies, Coes, Cres

Исключено защелкивание

Быстродействующие диоды, выполненные по запатентованной технологии CAL (управляемый осевой ресурс), с плавным восстановлением

Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки

Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)

В таблице 3.5.1 указаны рабочие характеристики IGBT транзистора

Таблица 3.5.1. Рабочие характеристики SKM75GB063D

Обозначение

Наименование

Условия снятия характеристики

мин.

ном.

макс.

Единица измерения

IGBT-транзистор

VGE(th)

пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE, IC = 1 мА

4,5

5,5

6,5

В

ICES

коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C

0,1

0,3

мА

VCE(TO)

постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер

Tj = 25 (125) °C

1,05 (1)

В

 

rCE

дифференциальное сопротивление открытого канала

VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C

14 (18,7)

мОм

 

VCE(sat)

напряжение коллектор-эмиттер насыщения

ICnom = 75 A, VGE = 15В, на уровне кристалла

2,1 (2,4)

2,5 (2,8)

В

 

Cies

входная емкость

при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц

4,2

нФ

 

Coes

выходная емкость

0,5

нФ

 

Cres

обратная переходная емкость

0,3

нФ

 

LCE

паразитная индуктивность коллектора-эмиттера

30

нГн

 

RCC'+EE'

суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера

температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C

0,75 (1)

мОм

 

td(on)

длительность задержки включения

VCC = 300 В, ICnom = 75 A

60

нс

 

tr

время нарастания

RGon = RGoff = 15 Ом, Tj = 125 °C

50

нс

 

td(off)

длительность задержки выключения

VGE = ± 15В

350

нс

 

tf

время спада

35

нс

 

Eon (Eoff)

рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения)

3 (2,5)

мДж

Перейти на страницу: 1 2

Советуем почитать:

Устройство и работа отдельных узлов рентгеновского компьютерного томографа
Обобщенная структурная схема рентгеновского компьютерного томографа приведена на рис.1. Несмотря на существенные различия в принципах сканирования, конструкциях механических и электронных уз ...

Расчет приемника наземной обзорной РЛС
Основной особенностью РЭО летательных аппаратов является то, что оно работает в системе УВД, будучи связано с ней функционально или электрически. Радиотехнические средства обеспечени ...

Микроконтроллеры для начинающих. И не только
Микроконтро́ллер (англ. Micro Controller Unit, MCU) – микросхема, предназначенная для управления электронными устройствами. Типичный микроконтроллер сочетает в себе функции пр ...

Меню



© 2015 TechExternal